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中国芯片传来大好消息!国产光刻机弯道超车,突破9nm技术瓶颈

时间:2019-11-26  来源:网络摘文

随着时代的不断变化发展,众多以科技为背景的产业由此崛起,在改变传统生活方式的同时,也对国家和社会的发展起到了积极的促进作用。尤其是在通信领域,作为中国通信巨头华为,更是在第五代通信技术领域实现了拐弯超车,成功跻身到世界一线前沿。

实际上,目前包括互联网行业和通信领域,我国的科技企业都已经成功实现了拐弯超车。但是在关键的零部件方面,我国科技企业依旧需要依靠外国进口,其中芯片就是最为典型的例子。有碍于芯片技术所存在的技术短板,使得我国在进口芯片之际,不仅没有议价权,同时还会面临着卡脖子的境遇。而中兴和华为事件的发生不就正好说明了芯片技术受限于人的弊端?

通常情况下,芯片制造包括两个方面,一方面在于芯片设计,另一方面则是芯片制造。芯片设计方面,包括华为海思在内的中国科技企业都已经实现了技术突破。但是在芯片制造领域,我国科技企业依旧受限于人。而从本质上进行分析,芯片制造落后的原因在于光刻机技术的落后。

大家都知道,芯片只有光刻机的存在才能将其从图纸上演变成真实存在。纵观目前光刻机制造水平,主要是以14nm工艺为主,最先进的则是荷兰ASML公司所生产的7nm工艺光刻机。至于9nm工艺技术光刻机主要掌握在日本人和德国人手中。由于荷兰ASML公司限制对我国科技企业出口光刻机,因此在缺乏光刻机技术的情况下,将会在一定程度上制约到我国电子产业的发展。

所以在意识到了事情的严重性后,我国也在光刻机领域投入了大量的人力和物力。但制程工艺仅限于28nm和14nm,与7nm工艺依旧还有着很大的差距。不过在近期,中国芯片传来大好消息!国产光刻机弯道超车,突破9nm技术瓶颈。

根据媒体在日前的报道,由武汉光电国家研究中心的甘棕松团队,目前已经成功研发出9nm工艺的光刻机。此次所研发出的光刻机技术与西方国家不同的是,国产光刻机利用二束激光在自研的光刻机上突破了光束衍射极限的限制,刻出了最小9nm线宽的线段,而这也是我们独有的技术,同时也用着自主产权。

不过,由于目前9nm光刻机技术还仅限于试验阶段,与7nm工艺制程还有着一定的差距,即便是在无法超越荷兰ASML的情况下,也能与日本和德国的光刻机技术一较高下。所以,作为国人的我们也有理由相信,在未来的时间段中,9nm光刻机一定会走出实验室,实现真正的量产。

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